Cada um de vários itens numa lista, precedidos por um símbolo para dar ênfase.
:
- - 2 GB 100 MHz
- - 232-pin DIMM
- - Latência CAS: 3
- - 3.3 V
- - ECC
Nome de produto comprido Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 4 x 512 MB ), DIMM 232-pin, SDRAM, 100 MHz, CL3, 3.3 V, ECC for Sun Blade 1000 Series Sun Fire 3800 4800 4810 módulo de memória
:
System Specific
A curta descrição editorial de Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 4 x 512 MB ), DIMM 232-pin, SDRAM, 100 MHz, CL3, 3.3 V, ECC for Sun Blade 1000 Series Sun Fire 3800 4800 4810 módulo de memória
System Specific
Mais>>>
Descrição do resumo grande Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 4 x 512 MB ), DIMM 232-pin, SDRAM, 100 MHz, CL3, 3.3 V, ECC for Sun Blade 1000 Series Sun Fire 3800 4800 4810 módulo de memória:
Este pequeno resumo da ficha técnica Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 4 x 512 MB ), DIMM 232-pin, SDRAM, 100 MHz, CL3, 3.3 V, ECC for Sun Blade 1000 Series Sun Fire 3800 4800 4810 módulo de memória é gerado automaticamente e utiliza o título de produto e as primeiras seis funcionalidades principais.
Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 4 x 512 MB ), DIMM 232-pin, SDRAM, 100 MHz, CL3, 3.3 V, ECC for Sun Blade 1000 Series Sun Fire 3800 4800 4810, 2 GB, 100 MHz, 232-pin DIMM
Descrição do resumo longo Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 4 x 512 MB ), DIMM 232-pin, SDRAM, 100 MHz, CL3, 3.3 V, ECC for Sun Blade 1000 Series Sun Fire 3800 4800 4810 módulo de memória:
Isto é um resumo longo automático de Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 4 x 512 MB ), DIMM 232-pin, SDRAM, 100 MHz, CL3, 3.3 V, ECC for Sun Blade 1000 Series Sun Fire 3800 4800 4810 módulo de memória baseado nas primeiras três especificações de cada um dos primeiros cinco grupos de especificações.
Kingston Technology System Specific Memory 2 GB ( 4 x 512 MB ), DIMM 232-pin, SDRAM, 100 MHz, CL3, 3.3 V, ECC for Sun Blade 1000 Series Sun Fire 3800 4800 4810. Memória interna: 2 GB, Velocidade de memory clock: 100 MHz, Fator de forma da memória: 232-pin DIMM, Latência CAS: 3, ECC